웨이퍼 테스트 공정

웨이퍼
웨이퍼
프로브 카드
프로브 카드
테스터
테스터
Scrub Mark
스크럽 마크

웨이퍼의 각 칩(Chip)에 전기적 신호를 전달하여 양품과 불량을 판별하는 핵심 검사 장치입니다.

(A core inspection device that identifies good and defective products by sending electrical signals to each chip on the wafer.)

기술적 정밀성: MLC 타입 프로브 카드 구조

복잡한 신호 처리를 위한 다층 세라믹 구조 설계

MLC Structure

Space Transformer (STF)

혁신적인 메모리 MEMS 프로브 카드 구조

Fixture Parts 구조해석 및 열 변형 Test를 통한 최적의 파츠 적용

MEMS Structure Exploded View
Main PCB: 메인 인쇄 회로 기판
Top Stiffener: 변형 방지 최상단 지지대
Interposer: 고정밀 인터포저
12” MLC + Frame: 다층 세라믹 기판 및 프레임
Micro Technology

초미세 MEMS Probe 기술 적용

Thermal Stability Verified
Microscope View
SEM Micrograph View

압도적인 스펙 차이

Cantilever vs MEMS 기술 성능 비교

Cantilever Type
Scrub Range

≤ 15µm (Large Pad Damage)

Life Time

500K

Repair Time (100Pins)

1.5 Weeks (Epoxy/Curing)

전기적 특성

Unstable (Particle Issue)

Current

< 400mA

MEMS Type (Advanced)
Scrub Range

< 4µm (No Pad Damage)

Life Time

1M (3x Lifetime)

Repair Time (100Pins)

3 Days (Probe Insert Method)

전기적 특성

Very Stable (Low Inductance)

Current

1A

* Data based on internal testing and benchmark against standard cantilever probes.

High Precision

Minimal Scrub Mark: 수율의 핵심

백문이 불여일견: 완벽에 가까운 타점 구현.

Legacy Contact Mark

기존 방식: 큰 Scrub Mark 및 Pad 손상 발생 (≤15µm)

MEMS Contact Mark

MEMS Type: Pad 손상 없는 깔끔한 타점 (<4µm)

Radically reduces Gold Pad cost by reducing Pad Size.

Pad Size를 획기적으로 줄여 Gold Pad 원가를 극적으로 절감합니다.

MEMS Vertical Probe Card 도입의 6가지 혁신적 혜택

원가 절감

Pad Size 축소 (기존 40x80µm → 개선 7x7µm)

SpecsDramatic Cost Savings
40x80µm → 7x7µm

수명 연장

Life Time 2배 증가 (기존 500K → 개선 1M)

Specs2x Life Time Increase
500K → 1M Cycles

수리 시간 단축

Repair Time 70% 단축 (2~3일 소요)

Specs70% Faster Recovery
7-11 Days → 2-3 Days

접촉 저항 개선

Scrub Mark 감소로 안정적인 Contact 저항 확보

SpecsStable Yield
Reduced Scrub Marks

초미세 Pitch 구현

27µm Stacked 제작 가능

SpecsAdvanced Integration
27µm Stacked Tech

Para 확장성

다중 Para 제작 가능 (최대 526Para F/T)

SpecsMassive Scale
Up to 526Para F/T
Life Time Force vs. Displacement
Avg. 1.32gf

Testing Parameter: @ 75µm OT

Reliability Certified

가혹한 테스트를 견디는 압도적 내구성

0

평균 Force: 1.32gf

"1,310만 회의 극한 반복 테스트 후에도 Force 저하(Degradation)가 전혀 없습니다."

유지보수 비용 최소화 및 공정 중단 시간(Downtime) 제로화.

차세대 혁신의 탄생: VLWST 솔루션

고가, 긴 납기의 한계를 부수고 새로운 표준을 제시합니다.

기존 MLC

전량 수입 의존, 높은 단가와 최소 5주 이상의 긴 납기 문제.

5 Years of R&D

독자적 VLWST 개발

5년의 연구 및 글로벌 팹리스 실장 테스트 거친 성공적 개발.

단가 대폭 절감 및 납기 3주 이내 단축 완수.

VLWST Hardware
3WKSLead Time

패러다임을 바꾸는 차이

일본산 MLC를 압도하는 TESTONIC VLWST의 기술력.

Feature Category
Japanese MLC
TESTONIC VLWST
주파수 특성: ≥3.2GHz 우수 특성 확보.
≤ 2.5GHz
≥ 3.2GHz
Superior
납기: 70% 단축 (3주 이내 완성).
10+ Weeks
Within 3 Wks
70% Faster
제작 단가: MLC 대비 획기적 절감.
Very High
Drastic Saving
Cost Leader
친환경성: 수리 및 PCB 재활용 가능 (비용 절감).
Impossible
Repair & Recycle
Eco-Friendly
극미세 피치: 27µm 대응 가능.
50µm
27µm
Ultra Fine

기술적 우위의 비밀: 최적화된 내부 구조 설계

Conventional MLC
MLC Path
Pattern Length60mm

기존 MLC: 60mm 패턴 길이 (긴 경로로 인한 주파수 손실 발생).

TESTONIC VLWST
VLWST Path
Pattern Length
1/6 Reduction10mm
≥3.2GHz Speed
Ultra Low Latency

혁신 VLWST: 10mm 패턴 길이 (짧은 경로로 초고속 전송 구현).

내부 패턴 길이를 1/6로 단축하여 ≥3.2GHz 이상의 압도적인 Speed 특성을 구현해 냈습니다.

Product Portfolio

맞춤형 프로브 카드 포트폴리오
웨이퍼 사이즈 및 검사 환경에 최적화된 다중 레벨 솔루션을 제공합니다.

R&D / SoC

Under 4.5" ~ 6.5"(PH100 / PH150)
Non Memory / SoC
Memory for R&D
~128 Para
SDT Support

Memory / Non-Memory

8.5 inch(PH200)
PCB: 330/440/480
~224 Para
High Impedance
ROPH Applicable

DRAM & FLASH

12.5 inch(PH300)
Memory for DRAM & FLASH
~880 Para
Relay/FPGA Applicable
High Impedance